敖蕾

研究方向：

（1）体相材料电子结构与缺陷性质模拟。

（2）纳米半导体材料量子结构设计。

电子邮箱：al20060608@126.com

简要介绍：

敖蕾，女，讲师，研究生学历，博士，国家自然科学基金函评专家。主持国家自然科学基金项目2项，省部级项目2项。以通讯及或第一作者身份发表SCI论文10余篇。主讲《大学物理》本科课程。

代表成果：

1. L. Ao, Z. H. Xiong, MXenes-based electrode selection strategy for 2D GaN optoelectronic devices, J. Phys. Chem. C (in press).

2. L. Ao, Z. H. Xiong, Behavior of Atomic Vacancy in Puckered Arsenene, J. Phys. Chem. C 2021, 125, 4182.

3. L. Ao, Z. H. Xiong, Insights into the vacancy behaviour at the interface of As-Sb lateral heterostructures, J. Mater. Chem. C 2020, 8, 650.

4. L. Ao, A. Pham, X. Xiang, et al, Defect induced charge trapping in C-doped α-Al₂O₃, J. Appl. Phys. 2017, 122, 025702.

​5. L. Ao, A. Pham, H. Y. Xiao, et al, Theoretical prediction of long-range ferromagnetism in transition-metal atom-doped d⁰ dichalcogenide single layers SnS₂ and ZrS₂, Phys. Chem. Chem. Phys. 2016, 18, 25151.